中国芯重大突破,7nm级别芯片流片成功,中国大陆自己制造的

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先上一张当前几大主流的芯片厂商的工艺流程图,如图所示,台积电2020年实现了5nm,三星在2020年晚一些时候,应该也能实现5nm。

所以,这张图的意思是告诉大家,当前只有两大厂商,进入到了10nm以下,那就是台积电、三星,而intel今年才进入到10nm。而中国大陆当前最好的成绩是14nm,也没有进入到10nm。

这中间也要注意的是,格芯、联电在2017年之后,就基本停止对工艺制程的研发了,保持住在10nm以上的水平了。

中国芯重大突破,7nm级别芯片流片成功,中国大陆自己制造的-第1张图片

可以说10nm工艺是一个分水岭,谁能够达到10nm或以下工艺,代表的就是最先进的工艺了,未来或许也就4家厂商有这个水平,台积电、三星、intel、中芯。

不过近日,中国芯传出一则好消息,那就是芯动科技表示,全球首款基于中芯 FinFET N+1先进工艺芯片流片成功。

这可以说是中国芯的一个重大突破了,因为这代表着中国大陆自己也能够制造7nm级别的芯片,将技术突破到了10nm以下了。

中国芯重大突破,7nm级别芯片流片成功,中国大陆自己制造的-第2张图片

为何这么说,N+1工艺是在中芯当前14nm的基础之上,性能提升20%,功耗降低57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

这个技术指标,与台积电的7nm工艺是相差不大的,最多性能提升稍差了一点,但也可以视为7nm级别的芯片了,毕竟逻辑密度是最重要的一个指标。

中国芯重大突破,7nm级别芯片流片成功,中国大陆自己制造的-第3张图片

要考虑到目前大陆在芯片的三大环节设计、制造、封测中,制造是最弱的,因为设计、封测都能达到5nm级别,而制造还只在14nm级别,所以将制造补上来是重中之重,所以从14nm直接跨入7nm级别,那必须是一个非常非常重大的突破了。

不过目前还只是流片成功,代表着有这个技术了,最终还要实现量产,才是真正的成功,但想来也不远了,估计就在明年了。

标签: 中国制作的芯片

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